乐思成功研发第三代沉银技术AlphaSTAR-资讯报废设备

乐思成功研发第三代沉银技术AlphaSTAR-资讯 一个“理想工艺”除了是性能优异之外,还必须满足2006年7月1日公布的电子工业对于安全、环保以及可靠性的要求。虽然早在1994年乐思化学就拥有Al池州phaLEVEL产品系列的专利权,但是乐思化学依旧持续不断的进行着工艺的改善和研发,现已成功研发出应用于印制线路板的第三代沉银技术—AlphaSTAR。AlphaSTAR工艺特别为满足当今日益严格的最终表面处理的要求而设计,它解决了以上探讨的几个导致线路板报合金铸件废、成本增加、环保和安全等问题，并且符合现在和未来可能影响印制线路板(PCB)工业的相关法规。本工艺共有7个步骤(其中三个为水洗步骤),其性能及优点如下所述: 前处理 分为以下四个步骤:除油、水洗、微蚀及水洗。除油溶液的表面张力非常低，能够润湿所有的铜表面，这样既消除了锰铁露铜问题，又促进了银层在高纵横比孔和微通孔内的沉积。独特的微蚀配方可产生微粗化，半光亮的表面结构，这样的表面结构有利于形成具有精细而且致密的晶体结构的银层,因此即使在银层厚度很低时也可获得高密度、低孔隙的沉银层。这就大大提高了银层的抗蚀性能。 沉银 分为以下三个步骤:预浸、沉银和最后的去离子水洗。设立预浸的目的有三个，一是用作牺牲溶液,防止从微蚀槽带进铜和其他物质污染沉银液，二是为沉银置换反应提供清洁的铜面,使铜面获得与沉银液中炊具挂盘相同的化学环境和pH值。由于预浸的成分和沉银液一样(除了金属银外)，此工序的第三个功能就是对沉银槽的自动补充。在沉银反应中唯一消耗的是金属银,沉银液中有机组分含量的变化仅仅是由槽液带出所造成的损干燥剂失，而预浸和沉银溶液有同样的成分,预浸带进的量等于沉银带出的量,因此沉银液不会积聚不必要的有机物。 沉银反应是通过铜和银离子之间的置换反应进行的。经过AlphaSTAR 微蚀溶液微粗化处理的铜表面，可以确保在受控的沉银速度下能够缓慢生成均匀一致的沉银层。慢的沉银速度有利于沉积出致密的晶体结构，避免了由于沉淀和结块而产生的微粒增长,形成高密度的银层。这种结构紧密，厚度适中(6 - 12u”)的台式钻床银层不仅具有高的抗蚀性能,同时也具有非常良好的导电性能。沉银液非常稳定，有很长的使用周期,对光和微量卤化物不敏感。AlphaSTAR的其他优点如:大大缩短了停工期，低离子污染以及设备成本低。

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